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MDD整流二极管的损耗计算

发布时间:2019-11-28 | 文章来源:MDD辰达行电子

   MDD整流二极管由于的特性,所以在电路应用中非常常见,整流二极管在电路中的损耗又该怎么去计算呢?


   首先我们来讨论二极管的RC sunbber的计算设计。RC吸收的本质是转移损耗,由于电容两端的电压不能突变,故可以抑制电压尖峰,而电阻纯粹是一个阻尼振荡的作用,业界一直不推荐,大都是采用测试法,因为计算出来的跟实际的还是有差异的。


   调试方法如下,先测量振荡波形,读出振荡频率,然后加C,使振荡频率减半,再计算电路的寄生电容、电感,最后根据振荡电路的特征参数来确定串联电阻的大小,或直接接电阻试验,直到振荡基本消失为准。


   对于RC是否是纯粹的转移效率,已经经过实验证明,RC参数不合理能降低效率,而合理的RC反而能提升效率。当RC不合理时,很大几率是C或者R的选取出现了问题。C越大,会带来越大的损耗,而且当R阻尼不够时,反而会引起严重震荡。但是C太小,吸收尖峰的能力却不够。所以我们只能采用测量加计算,再调试的办法。是个折中的选择。


   比较通用简单的设计办法是:在没有加吸收之前,测试震荡频率,假如频率是f,那么开始并电容,并了电容震荡频率自然下降,那么并多少电容呢?并了电容C之后让震荡频率变为原来的一半,就是0.5f。


   这样就可以根据以上参数算出引起震荡的另外一个参数,电感L。最后取R=(L/C)开根号。


   二极管在使用过程中会损耗,电路电器也在损耗着寿命,珍惜能源是每个公民应该做的。