一、技术突破：PowerTrench工艺与屏蔽栅设计
MDDG03R01G在栅源电压VGS=10V、漏极电流ID=50A的条件下，其最大导通电阻RDS(on)仅为1.0mΩ。如此低的导通电阻，能够有效降低器件在工作过程中的功率损耗，提高系统的整体效率。
此外，该产品具备极低的反向恢复电荷Qrr，这一特性对于提高开关频率、降低开关损耗至关重要，有助于实现更高效的电源转换和更快速的信号处理。
同时，MDDG03R01G通过了100%UIS测试，确保了产品的一致性和可靠性，并且完全符合RoHS标准，满足环保要求。
1.导通与动态特性
低压驱动兼容性：在VGS=4.5V,ID=30A时最大导通电阻仍保持1.6mΩ水准，适配低压控制电路。
低栅极电荷（Qg=61nC）：减少开关损耗，支持高频应用（如400kHz LLC拓扑）。
快速开关响应：开启延迟（td(on)）仅10ns。关断延迟（td(off)）71ns
超强电流承载：300A持续电流（Tc=25℃），1200A脉冲电流，满足严苛负载需求。
2、工业级可靠性
100%UIS测试：单脉冲雪崩能量EAS达到430.5mJ(VDD=24V,L=0.5mH,IAS=41.5A)时，保障感性负载安全性。
宽温工作范围：-55℃~150℃，适应极端环境。
三、电性曲线图
1.专为ATX/服务器/电信电源的同步整流而生
0.75mΩRDS(on)：其低导通电阻和高开关性能能够显著提升电源的转换效率，降低发热，延长设备的使用寿命
低Qrr特性：优化LLC谐振拓扑效率，满载效率提升1.5%
2.工业电机驱动与UPS
300A持续电流：支持伺服电机、AGV小车瞬间启停，耐受1200A脉冲冲击。
软恢复体二极管：反向恢复时间（trr）82ns，降低EMI干扰。
3.高功率DC-DC转换器
高频开关能力：开启延迟10ns，关断延迟71ns，适配Buck/Boost拓扑。实现高效的电压转换，满足不同负载对电源的需求。
PDFN5×6-8L封装：底部散热焊盘设计，通过大面积铜箔降低热阻。
除此之外，MDD新推出的低压大电流系列MOS针对不同的应用场景，推出不同的型号，以满足各行业匹配需求。
