一、技术交流,共谋发展
在展会现场,MDD团队与众多来访者进行了深入的技术交流,针对客户在高效电源设计、系统可靠性提升、小型化与能效优化等方面面临的挑战,提供了专业的半导体解决方案与选型建议。同期由MDD高级FAE带来的主题演讲《MDD快恢复桥-电子产品防电磁干扰的隐形守护者》详细地阐述了电磁兼容性EMC会对电子产品带来的影响及快恢复桥的防护作用。
在本届论坛上,MDD凭借专业的技术实力成功斩获国产功率器件优秀奖及国产功率器件行业新锐奖。
带来的低压大电流代表产品MDDG03R01G 30V N沟道增强型MOSFET,采用先进的Power Trench工艺与屏蔽栅技术,在实现极低导通电阻(典型值0.75mΩ @Vgs=10V)的同时,保持了优异的开关性能与软体二极管特性。其超高电流能力(连续电流300A)与极低的反向恢复电荷(Qrr),使其在服务器/通信电源同步整流、电机驱动、DC-DC转换器等高效能应用中极具竞争力。
此次亚洲电源技术发展论坛之旅已落幕,未来,MDD将继续秉持“匠心制造”的理念,专注于技术创新与产品升级,致力于为全球客户提供更高效、更可靠、更具竞争力的半导体产品与解决方案,助力能源电子产业向着更高效、更智能的方向持续发展。