MDD辰达半导体-瞬态电压抑制二极管（TVS）是一类专门用于吸收瞬态过电压、保护电路中敏感元件的器件。它通过在过压瞬间迅速击穿导通，将能量分流至地，从而限制电压尖峰幅度。许多工程师在使用过程中常常会问：如果系统多次遭...

在电子产品的防护设计中，MDD瞬态电压抑制二极管（TVS）被广泛应用于应对静电放电（ESD）、浪涌、电快速脉冲（EFT）等瞬态干扰。然而，许多工程师在选型过程中往往只关注某一两个关键参数，而忽略了TVS在不同应用条件下的综合特性...

在功率器件的参数表中，我们常看到 MOSFET 的 Avalanche Energy (EAS) 或 Avalanche Current (IAR) 指标，用于描述器件在雪崩条件下的承受能力。然而，在 MDD肖特基二极管 的规格书中，“雪崩耐量”并不总是显式列出，甚至很...

MDD肖特基二极管 因其低正向压降（VF）、无明显反向恢复时间（trr）和高频特性，在高效率电源领域有着不可替代的作用。随着新能源产业的高速发展，光伏发电系统与车载 OBC（On-board Charger，车载充电机）对功率器件提出了更高...

MDD辰达半导体的高效率整流管（如肖特基、快恢复、超快恢复以及SiC二极管）是现代电源系统中不可或缺的器件，广泛应用于服务器电源、适配器、光伏逆变器、车载OBC等场合。整流管性能直接影响系统效率、温升和稳定性。因此，调试与...

在现代电源系统中，MDD辰达半导体的高效率整流管（如肖特基二极管、快恢复二极管、超快恢复二极管）因其低正向压降、快速反向恢复特性，广泛应用于适配器、开关电源、充电器、服务器电源和光伏逆变等高频高效率场景。但在实际应...

在电源系统、变频器及高频功率变换设备中，MDD辰达半导体的超快恢复二极管凭借其反向恢复时间短、开关损耗低的特点，广泛应用于高频整流和续流电路。但在某些大功率应用中，为了满足更高的电压或电流需求，工程师往往采用器...

在高频、高效电源设计领域，辰达半导体超快恢复二极管凭借其极短的反向恢复时间（Trr）和低反向电流损耗，成为开关电源、逆变器、功率因数校正（PFC）等场合中的重要器件。然而，工程实践中常见因选型不当而造成的系统效率下降甚...

MDD辰达半导体快恢复二极管在高频整流、PFC、逆变续流路径中承担快速电荷抽空任务，其功耗除正向导通损耗外，还包含反向恢复能量；热设计稍有不足，即可能触发渐进式热退化甚至灾难性击穿。本文从失效症状入手，解析热源构成...