在电子产品设计中，MDD辰达半导体的静电二极管 是最常用的接口防护器件。许多工程师在选型时，往往会首先关注器件的 ESD 等级，例如标称可承受 ±8kV 接触放电或 ±15kV 空气放电。似乎只要电压等级够高，器件就能满足应用需...

在电子产品的开发过程中，静电放电（ESD）测试往往是 EMC 测试中的重要环节之一。很多客户反馈：样机在实验室中按照 IEC 61000-4-2 标准进行 ESD 测试能够顺利通过，但产品在实际使用场景中仍然会出现接口失效、芯片损坏甚至...

MDD稳压二极管（Zener Diode）作为电子电路中常见的电压基准与保护元件，因其反向击穿时能够提供相对稳定的电压而被广泛应用。然而，在实际使用过程中，稳压管并不是“永不失效”的器件，它也会出现开路、短路或参数漂移等问题...

MDD辰达半导体的稳压二极管（Zener Diode）因其在反向击穿区具有相对稳定的电压特性，被广泛应用于电路基准源、过压保护和小电流稳压场合。然而，在实际应用中，许多工程师或初学者会发现，稳压二极管在电路中的电压并不总是...

MDD辰达半导体-瞬态电压抑制二极管（TVS）是一类专门用于吸收瞬态过电压、保护电路中敏感元件的器件。它通过在过压瞬间迅速击穿导通，将能量分流至地，从而限制电压尖峰幅度。许多工程师在使用过程中常常会问：如果系统多次遭...

在电子产品的防护设计中，MDD瞬态电压抑制二极管（TVS）被广泛应用于应对静电放电（ESD）、浪涌、电快速脉冲（EFT）等瞬态干扰。然而，许多工程师在选型过程中往往只关注某一两个关键参数，而忽略了TVS在不同应用条件下的综合特性...

在功率器件的参数表中，我们常看到 MOSFET 的 Avalanche Energy (EAS) 或 Avalanche Current (IAR) 指标，用于描述器件在雪崩条件下的承受能力。然而，在 MDD肖特基二极管 的规格书中，“雪崩耐量”并不总是显式列出，甚至很...

MDD肖特基二极管 因其低正向压降（VF）、无明显反向恢复时间（trr）和高频特性，在高效率电源领域有着不可替代的作用。随着新能源产业的高速发展，光伏发电系统与车载 OBC（On-board Charger，车载充电机）对功率器件提出了更高...

MDD辰达半导体的高效率整流管（如肖特基、快恢复、超快恢复以及SiC二极管）是现代电源系统中不可或缺的器件，广泛应用于服务器电源、适配器、光伏逆变器、车载OBC等场合。整流管性能直接影响系统效率、温升和稳定性。因此，调试与...