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MOS
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SGT MOS
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最大反向峰值电压
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最大正向电流
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最大正向浪涌电流
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最大正向压降
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最大反向漏电流
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Uni/Bi
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击穿电压
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峰值工作反向电压
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最大反向漏电流
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最大脉冲峰值电流
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最大箝位电压
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最大功耗
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齐纳电压
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最大反向漏电流
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最大反向电流
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功率
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最大反向峰值电压
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BVCBO
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BVCBO
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BVCBO
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印字
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典型漏源导通内阻RDS(ON) (Ω) VGS=10V Typ.
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最小栅源开启电压VGS(th)
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最大栅源开启电压VGS(th)
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最大漏极电流
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型号
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类型
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最小漏源击穿电压Bvdss
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最大正向电流
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最大浪涌电流
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典型栅源开启电压VGS(th)(V) (Typ.)
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最大功率
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结电容
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封装形式
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Max.(V)
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VC(V)
VC(V)
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IR(μA)
VR(V)
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PD(mW)
(W)
(V)
(V)
(V)
(A)
(μA)
(pF)
PD(mW)
lF(mA)
VR(V)
VF(V)
lF(mA)
IR(μA)
VR(V)
Recovery Time
POLARITY
mW
mA
V
V
V
Min
Max
V
Marking code
Package
Part Number
Package
Type
Bvdss (V)
(A)
VGS (V)
Typ.
Max.
Min.
Max.
PDF
Bvdss (V)
ID(A)
VGS (V)
Typ.
Max.
Min.
Max.
Part Number
Type
Bvdss (V)
ID (A)
Typ.
Max.
VGS(th) (V)
Ciss(nF)
Coss(nF)
Crss(nF)
Qg(nC)
PartNumber
Package
VR(V)
IF(A)≤153℃
IFSM(A)
(mΩ)
(V)
PD(W)25℃
(nc)
(MAX)(℃ )
Tj(℃)
VF(V)(25℃ )
IR(uA)(25℃)
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Package
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