一、整流二极管的核心参数解析：选型失败的三大雷区 1. 电流与散热失衡 最大整流电流（IF）：标称值需满足 IF ≥ 1.5 × I_load（负载电流），且需叠加散热系数： 自然散热（无风冷）：实际承载电...

一、热管理失效：散热设计不足引发连锁故障 问题表现： 局部过热：整流二极管（如1N5408）未配置散热孔或铜箔面积不足，导致结温＞85℃（安全阈值），实测温升可达30℃以上 。 热应力开裂：FR...

在功率电子系统中，辰达的MOSFET和IGBT是两种常见的开关器件，广泛应用于中低压功率系统。它们各有优缺点，适用于不同的应用场景。作为FAE，帮助客户理解这些器件的特性、差异和应用场景，能够有效提高系统设计的效率与稳定性...

一、MOSFET在DC-DC变换器中的关键作用 开关功能 DC-DC变换器的核心工作原理是通过高频开关操作将输入直流电压转换为所需的输出直流电压。MOSFET作为开关元件，在此过程中起着至关重要的作用。MOSFET的开关频率决定了变...

在USB PD快充电源设计中，辰达MOSFET作为功率控制与转换的核心器件，发挥着关键作用。随着充电功率向65W、100W甚至更高迈进，对辰达MOSFET的性能提出了更严苛的挑战。本文将从应用挑战出发，结合FAE工程实践，分析MOSFET在US...

一、MOSFET开关速度的定义与影响因素 开关速度是MOSFET在导通（开）和关断（关）状态之间的切换速度，通常以上升时间（tr）、下降时间（tf）和开关时间（ts）来描述。开关速度越快，MOSFET切换的响应时间越短，意味着更小的开关...

在现代电源设计中，开关电源（SMPS）因其体积小、效率高、适应性强，广泛应用于通信设备、计算机系统、工业控制、电动工具及新能源汽车等领域。而实现高频、高效、高可靠性的开关电源设计，除了依赖于拓扑结构与主控芯片的优化...

在电源设计、逆变器、电机控制等中高频率场合中，整流器件的性能对系统效率和稳定性起着至关重要的作用。传统整流二极管（如1N5408、1N4007）虽然成本低、应用广，但在快速切换电路中存在明显的“迟钝”问题，表现为反向恢复时...

在开关电源（SMPS）设计中，整流器件对系统效率、稳定性和热管理的影响极为关键。相比普通硅整流器件，肖特基整流桥以其低正向压降、快恢复特性、低功耗优势，成为高频开关电源中日益常见的整流选择。然而，肖特基整流桥虽然...