在电子产品的设计和应用中，二极管作为关键的辰达半导体元件，广泛应用于整流、保护、开关等各种电路中。然而，由于二极管的工作条件（如电流、温度和功率）可能超过其额定值，容易导致热失效。二极管的热失效是指由于温度过高而...

高频整流广泛应用于现代开关电源、逆变器、RF电路以及通信设备中。与低频整流不同，高频整流要求二极管具备更高的开关速度、更低的反向恢复时间和更低的导通损耗。根据不同的电路需求，选用合适的MDD二极管对于提高效率、减少...

在电路设计和应用中，MDD的MOS晶体管是重要的开关元件。当MOS晶体管出现故障时，可能会导致系统无法正常工作，甚至引发损坏。对于MDD FAE工程师来说，快速定位和修复MOS故障是确保系统稳定运行的关键。本文MDD将探讨常见的M...

PMOS（正极性金属氧化物半导体）和 NMOS（负极性金属氧化物半导体）是两种基本的 MDD辰达半导体的场效应晶体管（FET），它们的结构、工作原理和应用都有显著的差异。理解这两种晶体管的特点以及如何选择它们，在实际的电子设计...

在高频整流应用中，选择什么MDD 二极管不是简单的“耐压够就行”，而是必须综合考虑反向恢复、正向压降、漏电、温升、浪涌能力，以及最终电路效率与 EMI。许多工程师在几十kHz 以下仍然可以采用普通整流管，但当频率提升到 40kH...

在电池管理系统（BMS）设计中，均衡策略始终是工程团队必须优先处理的问题之一。无论是电动两轮车、储能系统还是消费类锂电产品，电芯一致性差都会导致容量无法完全释放、整包寿命降低甚至触发过充风险。工程上最常见的两类方...

在各类电源、电机驱动及控制电路中，MDD辰达半导体 MOSFET 是最常见的功率器件之一。由于其工作频率高、电流大、温升快，一旦出现故障，往往会造成系统停机甚至连带烧毁其他元件。作为MDD FAE，如何快速定位问题、判断失效类型...

在电池管理系统（BMS）中，MDD辰达半导体 MOSFET 作为电池组充放电的开关与保护核心元件，其导通电阻（R_DS(on)）参数对系统性能有着直接且深远的影响。作为MDD FAE，在支持客户调试或可靠性验证过程中...

在电子电路中，MDD辰达半导体 普通整流二极管（Rectifier Diode）是最常见、最基础的器件之一。它广泛应用于电源、电机驱动、充电器、变换器等各种整流与保护场景中。尽管结构简单，但由于工作环境、电流特性及设计细节不同，整流...