在工业控制系统中，设备常常工作于电磁干扰、浪涌、电源波动频繁的环境，尤其在继电器动作、电机切换或雷击干扰等场合，瞬态电压可能对MCU、I/O接口、通信芯片等造成致命损伤。MDDTVS（二极管）作为快速响应的过压防护器件，已...

在当今高速数字通信系统中，如USB 3.x/4、HDMI 2.1、Thunderbolt、PCIe 5.0/6.0、10G以太网等，高达数Gbps甚至Tbps的数据传输速率对信号完整性提出了极高要求。与此同时，这些高速接口暴露在外部环境中，也面临着静电放电（...

在电子设计中，MDD-TVS管是保护电路免受瞬态电压冲击的重要器件。然而，TVS管本身在恶劣环境或选型、应用不当时，也可能出现失效问题。作为FAE，本文将系统梳理TVS管常见的三大失效模式——热击穿、漏电流升高与反向击穿，帮...

随着智能手机、平板电脑、可穿戴设备等移动终端的发展，整机集成度不断提升，芯片封装和电路板设计愈发微型化。在追求轻薄与性能的同时，电子元件在静电放电（MDDESD）冲击下的可靠性面临前所未有的挑战。如何在有限空间内...

MDD静电放电（Electrostatic Discharge,ESD）是电子系统中极为常见又极易被忽视的威胁之一。特别是在半导体分立器件和IC封装日趋微型化、敏感度逐步提升的今天，MDDESD成为导致电子元件失效、系统异常甚至整机故障的“隐...

——FAE视角下的效率优化关键器件 在现代电子系统中，开关电源（SMPS）以其高效率和小型化优势成为主流电源解决方案。而在SMPS设计中，MDD肖特基二极管作为关键整流器件，因其优异的正向导通特性和极低的反向恢...

随着新能源汽车市场的迅猛发展，充电系统作为其关键组成部分，对效率、体积和可靠性提出了更高要求。肖特基二极管（Schottky Diode）因其低正向压降、快恢复特性、开关速度快等优势，成为新能源汽车充电模块中不可或缺的重...

在高频开关电源中，整流元件的性能直接影响能量转换效率。传统整流二极管由于较长的反向恢复时间（trr），在高频环境下会产生较大的开关损耗，降低整体效率。MDD超快恢复二极管以其短反向恢复时间、低反向电流、低开关损耗...

在整流电路中，二极管的选择至关重要，直接影响电源系统的转换效率、开关损耗和可靠性。常见的MDD整流二极管包括普通整流二极管和超快恢复二极管。两者在恢复时间、正向压降、功率损耗等方面存在显著差异，适用于不...