一、春意渐浓，与时光重逢 3月15日，MDD辰达半导体在深云文体公园举办了17周年庆典户外文体节。活动以“辰达17载，逐梦正当时”为主题，这是对过去的感谢，亦是向未来的邀约。 总经理在开幕式上发表了热情洋溢的致辞：...

在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应...

在智能家电与电动工具快速迭代的今天，高效能与小型化已成为产品设计的核心需求。MOSFET作为现代电子系统的核心功率开关器件，广泛应用于电源管理、电机驱动、信号切换等领域。其性能直接影响系统的效率、功耗和可靠性。随着...

MDD辰达半导体是一家专注于半导体分立器件的研发设计、封装测试与销售的国家高新技术企业。产品线涵盖MOSFET、整流器件、保护器件、小信号SiC等，打造全品类的高可靠性、高性能产品服务矩阵。 在智能家居和电动工具领域，电机...

一、整流二极管的核心参数解析：选型失败的三大雷区 1. 电流与散热失衡 最大整流电流（IF）：标称值需满足 IF ≥ 1.5 × I_load（负载电流），且需叠加散热系数： 自然散热（无风冷）：实际承载电...

一、热管理失效：散热设计不足引发连锁故障 问题表现： 局部过热：整流二极管（如1N5408）未配置散热孔或铜箔面积不足，导致结温＞85℃（安全阈值），实测温升可达30℃以上 。 热应力开裂：FR...

在功率电子系统中，辰达的MOSFET和IGBT是两种常见的开关器件，广泛应用于中低压功率系统。它们各有优缺点，适用于不同的应用场景。作为FAE，帮助客户理解这些器件的特性、差异和应用场景，能够有效提高系统设计的效率与稳定性...