一家专注于半导体分立器件研发设计、封装测试及销售的国家高新技术企业。
公司深耕半导体领域17载,始终坚持以产品技术为驱动,以客户需求为核心,打造涵盖MOSFET、二极管、三极管、整流桥、SiC等全系列、高可靠、高性能的产品服务...
型号多,封装全,交期快,品质好,性价高
拥有先进的分立器件设计及封装测试能力
年产能100亿只,工厂直发
最快当天交货,下单到发货最快24小时完成
15年零退货
荣获全球30+认证
拥有全球50+项专利发明
全球500+奖项荣誉冠冕
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应...
在智能家电与电动工具快速迭代的今天,高效能与小型化已成为产品设计的核心需求。MOSFET作为现代电子系统的核心功率开关器件,广泛应用于电源管理、电机驱动、信号切换等领域。其性能直接影响系统的效率、功耗和可靠性。随着...
MDD辰达半导体是一家专注于半导体分立器件的研发设计、封装测试与销售的国家高新技术企业。产品线涵盖MOSFET、整流器件、保护器件、小信号SiC等,打造全品类的高可靠性、高性能产品服务矩阵。 在智能家居和电动工具领域,电机...
一、整流二极管的核心参数解析:选型失败的三大雷区 1. 电流与散热失衡 最大整流电流(IF):标称值需满足 IF ≥ 1.5 × I_load(负载电流),且需叠加散热系数: 自然散热(无风冷):实际承载电...
一、热管理失效:散热设计不足引发连锁故障 问题表现: 局部过热:整流二极管(如1N5408)未配置散热孔或铜箔面积不足,导致结温>85℃(安全阈值),实测温升可达30℃以上 。 热应力开裂:FR...
在功率电子系统中,辰达的MOSFET和IGBT是两种常见的开关器件,广泛应用于中低压功率系统。它们各有优缺点,适用于不同的应用场景。作为FAE,帮助客户理解这些器件的特性、差异和应用场景,能够有效提高系统设计的效率与稳定性...
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